日前,我们栏目抢先为大家报道了关于65nm 新赛扬 D的评测报告。详细请点击《闪龙终结者!65nm赛扬空冷默认激超4.4G》、《终极进化!65纳米赛扬歼灭极品闪龙2500+》
这上述的两篇文章中,我们看到了新制程赛扬 D配备512K二级缓存后的强大性能,以及巨大超频潜力。
在风冷、默认电压的情况下,轻松的达到4.4GHz,以32.125秒的成绩完成Super PI 104万圆周率运算,的确令人惊讶。
文章推出之后,在评论系统中的留言,我们发现,网友们除了被它的性能打动外,更多朋友关注的是它的实际功耗水平,以及发热量水平。因此,为了满足大家的求知欲望,我们特意找来了一颗90nm版本的赛扬 D 330,做一个实际的功耗和发热对比测试。
左右分别是65nm的赛扬D 356以及90nm的赛扬D 330
65nm工艺真的能帮助Intel脱掉“电热炉”的帽子吗?还是一个美丽的谎言。这里,还是先买个关子。
测试平台 | |
Intel Celeron D 356(LGA775、65nm、3.33G、512K L2) Intel Celeron D 331(LGA775、90nm、2.66G、256K L2) Intel Pentium 955XE(LGA775、65nm、3.46G、512K L2) | |
ASUS i975x P5WD2-E Premium GIGA i975x GA-G1975X | |
Kingstone DDR2 900 512Mx2(667@5-5-5-12) | |
日立7K250 SATA 160G (7200转、SATA150) | |
Sparkle 6600GT |
要想直接测试CPU的真实功耗,以我们目前的仪器设备来说有点困难,不过我们可以通过测试系统的整体功耗,间接的完成功耗对比。利用康舒的iPlus 550W电源提供的系统功耗检测功能,可以分别测试系统在待机、全速和3D游戏全速时的系统总功耗。(我们所说的系统整体功耗,并不包括显示器功耗)
另外,测试期间采用了两款 i975x芯片的主板,主要是防止不同主板的I/O芯片或BIOS设定,对处理器核心温度的监控差异。
(康舒 iPlus 550W电源)
65纳米 VS 90纳米 整机功耗对比 | ||
功耗:瓦 |
65nm CD 356 |
90nm CD 331 |
BIOS待机 |
167 |
155 |
系统待机 |
143~152 |
119~131 |
CPU 满载 |
179~188 |
164~176 |
3D 游戏满载 |
200~215 |
188~203 |
65纳米 VS 90纳米 处理器核心温度对比 | ||
工作状态(室温20°) |
65nm CD 356(133 x 20) |
90nm CD 331(133 x 20) |
BIOS 待机 |
31° |
30° |
系统待机 |
21° |
26° |
CPU满载 |
37° |
34° |
结果一目了然,无论是在整体功耗又或者是核心温度上,65nm的赛扬 D 在90nm的前辈面前,并不具备任何的优势。不过,测试期间我们发现了一个为较奇怪的现象,待机情况下的65nm赛扬 D,其发热量比90nm的要低出不少,但一对照电源上的功耗值,65nm的赛扬 D的整体功耗竟然比90nm版本高出21w。
CPU超频后的功耗对比测试
65nm赛扬 D 超频 整机功耗对比 | ||
CPU频率 |
待机 |
CPU满载 |
133 x 20 |
140~152 |
167~179 |
133 x 25 |
143~152 |
176~188 |
166 x 20 |
143~155 |
176~188 |
只要在核心电压不变的情况下,处理器时钟频率的提升,与功耗的增加是不成正比的。
之前的文章我们也有提到,65纳米的赛扬D毕竟要到4月份才能正式上架,因此,到目前为止,我们仍然不能明确的告诉大家,65nm新制程到底能为Intel旗下的处理器带来多大的超频潜力。然而,对很多热衷于超频的DIYer来说,处理器核心的加电压超频是他们的拿手好戏。因此,我们特意加入了各电压值下,65nm赛扬 D系统的整体功耗对比。
测试期间,我们将CPU的频率调整为133 x 20=2.66GHz,分别将CPU的核心电压调整为1.2v、1.3v、1.4v和1.5v。观察这几个状态下,系统的整体功耗变化。
处理器核心电压调整 整机功耗测试(133 x 20) | ||||
功耗:瓦 |
1.2v |
1.3v |
1.4v |
1.5v |
BIOS待机 |
146~155 |
167 |
179 |
203 |
系统待机 |
131~143 |
140~152 |
152~167 |
176~188 |
CPU 满载 |
155~167 |
167~179 |
188~191 |
212~215 |
3D 游戏满载 |
188~200 |
188~203 |
212~230 |
236~251 |
非常明显,随着处理器核心电压的逐步提升,系统的整体功耗也会成正比例的增长。通过上述的测试数据,我们可以清晰的看到,CPU核心电压每提升0.1v,系统的待机功耗就会有接近20W的增长。满载后的系统,功耗更是叫人汗颜,从1.3v提升到1.5v,3D游戏的满载功耗竟然提升了将近50W!整体功耗暴涨了25%!!
因此,我们奉劝喜欢加电压超频的朋友,日后要谨慎对待65nm的赛扬 D,毕竟一个小时就50w,一年下来……
恐怖的65纳米!单核功耗紧逼双核!
如果你还是对上面的数字不太敏感,我们把Intel的旗舰双核——Pentium Extreme Editon 955处理器装上,对比超频后,65nm赛扬 D的功耗水平。
65纳米 单核 VS 双核 整机功耗对比 | |||
功耗:瓦 |
65nm CD 356 1.3V |
65nm CD 356 1.5V |
65nm Pentium 955XE |
BIOS待机 |
167 |
203 |
193~205 |
系统待机 |
140~152 |
176~188 |
167~172 |
CPU 满载 |
167~179 |
212~215 |
229~256 |
3D 游戏满载 |
188~203 |
236~251 |
239~256 |
结果还是比较明显的,1.5v的赛扬 D整体功耗竟然可以紧逼双核的Pentium 955XE处理器!!看你还敢不敢加电压超频,呵呵。
上述一系列的整体功耗对比,我们可以看到,65nm的新处理器制造制程,虽然已经大幅度的减少其核心面积和整体的晶体管间漏电,不过遗憾的是,处理器的整体功耗依然“强劲”。
当然,我们测试期间采用的65nm 赛扬 D 属于工程样本,处理器核心步进为B1,并非日后正式零售版本的C1。据Intel方面的资料显示,C1制程的65nm处理器才是真正意义上的65nm成品。采用该核心步进的Intel 65nm处理器,在整体核心功耗上将会进一步的改进。
主要原因是,B1步进的处理器会出现BNR信号的缺陷,当处理器发出C1E、EIST或TM2等指令时,可能会导致系统停止运作,由于这个问题并不能透过BIOS作出修正,因此65nm B1步进的Pentium D 9xx处理器全系列均删除了对Enhanced HALT、Enhanced Intel SpeedStep Technology及Thermal Monitor 2 Ratio Transition等功能的支持,但全新C1步进,将完全修正以上问题并重新被启用。
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