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谎言破灭!Intel 65nm赛扬真实功耗测试


PConline 【转载】 2006年02月24日 09:04 评论
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前言

  日前,我们栏目抢先为大家报道了关于65nm 新赛扬 D的评测报告。详细请点击《闪龙终结者!65nm赛扬空冷默认激超4.4G》、《终极进化!65纳米赛扬歼灭极品闪龙2500+》

  这上述的两篇文章中,我们看到了新制程赛扬 D配备512K二级缓存后的强大性能,以及巨大超频潜力。

  在风冷、默认电压的情况下,轻松的达到4.4GHz,以32.125秒的成绩完成Super PI 104万圆周率运算,的确令人惊讶。


谎言破灭!Intel 65nm赛扬真实功耗测试

  文章推出之后,在评论系统中的留言,我们发现,网友们除了被它的性能打动外,更多朋友关注的是它的实际功耗水平,以及发热量水平。因此,为了满足大家的求知欲望,我们特意找来了一颗90nm版本的赛扬 D 330,做一个实际的功耗和发热对比测试。

谎言破灭!Intel 65nm赛扬真实功耗测试
左右分别是65nm的赛扬D 356以及90nm的赛扬D 330

谎言破灭!Intel 65nm赛扬真实功耗测试

  65nm工艺真的能帮助Intel脱掉“电热炉”的帽子吗?还是一个美丽的谎言。这里,还是先买个关子。

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测试平台及测试说明


测试平台

Intel Celeron D 356(LGA775、65nm、3.33G、512K L2)

Intel Celeron D 331(LGA775、90nm、2.66G、256K L2)

Intel Pentium 955XE(LGA775、65nm、3.46G、512K L2)

ASUS i975x P5WD2-E Premium

GIGA i975x GA-G1975X

Kingstone DDR2 900 512Mx2(667@5-5-5-12)

日立7K250 SATA 160G (7200转、SATA150)

Sparkle 6600GT

  要想直接测试CPU的真实功耗,以我们目前的仪器设备来说有点困难,不过我们可以通过测试系统的整体功耗,间接的完成功耗对比。利用康舒的iPlus 550W电源提供的系统功耗检测功能,可以分别测试系统在待机、全速和3D游戏全速时的系统总功耗。(我们所说的系统整体功耗,并不包括显示器功耗)

  另外,测试期间采用了两款 i975x芯片的主板,主要是防止不同主板的I/O芯片或BIOS设定,对处理器核心温度的监控差异。

谎言破灭!Intel 65nm赛扬真实功耗测试
(康舒 iPlus 550W电源

谎言破灭!Intel 65nm赛扬真实功耗测试
(带独立的系统监控LCD面板)

谎言破灭!Intel 65nm赛扬真实功耗测试
测试平台一览

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热身环节-65纳米 VS 90纳米


65纳米 VS 90纳米 整机功耗对比
功耗:瓦
65nm CD 356
90nm CD 331
BIOS待机
167
155
系统待机
143~152
119~131
CPU 满载
179~188
164~176
3D 游戏满载
200~215
188~203

 

65纳米 VS 90纳米 处理器核心温度对比
工作状态(室温20°)
65nm CD 356(133 x 20)
90nm CD 331(133 x 20)
BIOS 待机
31°
30°
系统待机
21°
26°
CPU满载
37°
34°

  结果一目了然,无论是在整体功耗又或者是核心温度上,65nm的赛扬 D 在90nm的前辈面前,并不具备任何的优势。不过,测试期间我们发现了一个为较奇怪的现象,待机情况下的65nm赛扬 D,其发热量比90nm的要低出不少,但一对照电源上的功耗值,65nm的赛扬 D的整体功耗竟然比90nm版本高出21w。

CPU超频后的功耗对比测试

65nm赛扬 D 超频 整机功耗对比
CPU频率
待机
CPU满载
133 x 20
140~152
167~179
133 x 25
143~152
176~188
166 x 20
143~155
176~188

  只要在核心电压不变的情况下,处理器时钟频率的提升,与功耗的增加是不成正比的。

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核心电压调整后的功耗对比

  之前的文章我们也有提到,65纳米的赛扬D毕竟要到4月份才能正式上架,因此,到目前为止,我们仍然不能明确的告诉大家,65nm新制程到底能为Intel旗下的处理器带来多大的超频潜力。然而,对很多热衷于超频的DIYer来说,处理器核心的加电压超频是他们的拿手好戏。因此,我们特意加入了各电压值下,65nm赛扬 D系统的整体功耗对比。

  测试期间,我们将CPU的频率调整为133 x 20=2.66GHz,分别将CPU的核心电压调整为1.2v、1.3v、1.4v和1.5v。观察这几个状态下,系统的整体功耗变化。


谎言破灭!Intel 65nm赛扬真实功耗测试
 谎言破灭!Intel 65nm赛扬真实功耗测试

谎言破灭!Intel 65nm赛扬真实功耗测试

处理器核心电压调整 整机功耗测试(133 x 20)
功耗:瓦
1.2v
1.3v
1.4v
1.5v
BIOS待机
146~155
167
179
203
系统待机
131~143
140~152
152~167
176~188
CPU 满载
155~167
167~179
188~191
212~215
3D 游戏满载
188~200
188~203
212~230
236~251


  非常明显,随着处理器核心电压的逐步提升,系统的整体功耗也会成正比例的增长。通过上述的测试数据,我们可以清晰的看到,CPU核心电压每提升0.1v,系统的待机功耗就会有接近20W的增长。满载后的系统,功耗更是叫人汗颜,从1.3v提升到1.5v,3D游戏的满载功耗竟然提升了将近50W!整体功耗暴涨了25%!!
 
  因此,我们奉劝喜欢加电压超频的朋友,日后要谨慎对待65nm的赛扬 D,毕竟一个小时就50w,一年下来……
恐怖的65纳米!单核功耗紧逼双核!

  如果你还是对上面的数字不太敏感,我们把Intel的旗舰双核——Pentium Extreme Editon 955处理器装上,对比超频后,65nm赛扬 D的功耗水平。

65纳米 单核 VS 双核 整机功耗对比
功耗:瓦
65nm CD 356
1.3V
65nm CD 356
1.5V
65nm Pentium 955XE
BIOS待机
167
203
193~205
系统待机
140~152
176~188
167~172
CPU 满载
167~179
212~215
229~256
3D 游戏满载
188~203
236~251
239~256

  结果还是比较明显的,1.5v的赛扬 D整体功耗竟然可以紧逼双核的Pentium 955XE处理器!!看你还敢不敢加电压超频,呵呵。

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测试总结

  上述一系列的整体功耗对比,我们可以看到,65nm的新处理器制造制程,虽然已经大幅度的减少其核心面积和整体的晶体管间漏电,不过遗憾的是,处理器的整体功耗依然“强劲”。


谎言破灭!Intel 65nm赛扬真实功耗测试

  当然,我们测试期间采用的65nm 赛扬 D 属于工程样本,处理器核心步进为B1,并非日后正式零售版本的C1。据Intel方面的资料显示,C1制程的65nm处理器才是真正意义上的65nm成品。采用该核心步进的Intel 65nm处理器,在整体核心功耗上将会进一步的改进。

  主要原因是,B1步进的处理器会出现BNR信号的缺陷,当处理器发出C1E、EIST或TM2等指令时,可能会导致系统停止运作,由于这个问题并不能透过BIOS作出修正,因此65nm B1步进的Pentium D 9xx处理器全系列均删除了对Enhanced HALT、Enhanced Intel SpeedStep Technology及Thermal Monitor 2 Ratio Transition等功能的支持,但全新C1步进,将完全修正以上问题并重新被启用。

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