美光科技（Micron）

　　美光科技（Micron）

 　　美光科技内存芯片的外观

　　美光内存芯片编号的说明如下（可点击放大）：

　　美光科技的编号相当详细，这是因为它将所有的DRAM芯片编号进行了统一，包括久远的EDO（在一些专用设备上仍然会使用到它）和未来的DDR-2芯片，所以也显得参数很多，甚至在封装类型中还体现出有铅和无铅（Lead Free）封装，但好在分类还是比较清楚的。值得注意的是芯片的版本，其规则也基本与三星的一样，越靠后越新，但会有一些特殊的规定，如果是LF、S2、SF、T2等标识则代表了该产品集成了两个内核，可以认为是堆叠式（Stack）封装）。而特殊功能则是指产品所具备的一些功能可选项，但自刷新（Self Refresh）自从16Mb的SDRAM以后就是标准的设计，所以这一项是无关紧要的。

　　在芯片结构方面，表示容量单位的字母（K、M、G，这三个字母大家应该很熟悉了吧）后面的数字就是芯片的位宽，它乘以前面的字母与数字组合的结果就是芯片的容量，单位是Bit。比如图中的例子是32M8，代表的是位宽为8bit，乘以32M，总容量为256Mbit。

　　以上面的芯片图为例，可以看出它的容量是256Mbit，位宽8bit，采用TSOP-II封装，产品版本应该是第一代（没有版本编号）、速度为DDR-400（3-3-3）。