目前Samsung和Elpida的50nm DDR3内存技术这个月已经进入了量产阶段,新的芯片将具备更高的容量和速度,同时在延迟方面会更加低,功耗和成本也将会更低。
Elpida的新50nm工艺技术可以使得比普通技术速度得到25%的提升,同时芯片大小只有40mm2,意味着可以在每个wafer晶元上切割出更多的核心die,并降低在成本上优势更加的明显。
新的芯片可以在1.5v电压下达到2.5Gb/s速度,在1.2v工作电压下也可以达到1.6Gb/s,初始量产的容量只有1Gb,未来将在移动产品和服务器应用方面具有广阔的空间。
在CES上Corsair已经展示了他们的Dominator GT 2GHz CL7 DDR3内存,它们将在这个月进入量产阶段。而Samsung的50nm工艺被用于生产2Gb DDR3,预计将成为三星的主力DRAM工艺技术,他们宣称可以相比DDR2内存提升60%的产能。
Qimonda也在去年十一月展示了它们的46nm DDR3,已经大大比他们的内部计划提前了,他们预计将到今年年中全面量产。
由于DDR2芯片的过剩,它们几乎没有为DDR2内存升级采用50nm的计划,反而他们将会采用目前生产DDR3内存的65nm、70nm设备。根据著名调研机构IDC的的调查:DDR3内存的销售将会在今年占据29%的份额,而到2011年将占据到72%。
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