铠侠将于2026年夏季推出下一代BiCS10 1Tb TLC NAND闪存样品，该产品将面向支持PCIe Gen6接口的下一代企业级固态硬盘应用。
BiCS10采用332层三维堆叠结构。相较部分同业方案所采用的更高层数设计，铠侠选择这一堆叠规模，主要基于对制造工艺可控性、综合成本、能效表现及长期可靠性的整体权衡。公司指出，相较于业界推测中部分400层架构方案，332层设计可在单位容量成本上降低约10%，能效提升约10%，同时将可靠性指标提高约35%。
从市场发展趋势看，铠侠预计2026至2028年间全球NAND闪存出货总容量将以22%的复合年增长率持续扩张。其中，数据中心应用场景的增长率预计达46%，而AI推理相关需求的增长尤为突出，年均增速有望达到86%。当前阶段，NAND市场正处于供需失衡最为显著的时期，但随着产能调节与需求结构优化，失衡状况将逐步缓解。
为应对上述趋势，铠侠正加速向高附加值领域转型，重点聚焦数据中心及企业级固态硬盘等高端产品线，目标是使该类业务在公司整体营收中的占比提升至60%以上，从而有效增强整体盈利水平。与此同时，面向个人电脑和智能手机等传统终端的产品收入预计将维持稳定态势。在制程演进方面，铠侠计划于2026至2028财年持续推进技术升级，力争实现每年前端单位容量成本下降约10%；并规划于2029财年之后启动更先进制程节点的量产导入。
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