2026年5月25日，华为正式推出自主研发的DoB封装技术，成功突破传统3D NAND闪存400层堆叠的物理限制，研制出单盘容量达122TB的企业级固态硬盘。
长期以来，NAND闪存容量的提升主要依赖于增加垂直堆叠层数。目前，行业主流3D NAND工艺已迈过200层门槛。华为此次采用创新性封装架构，在不提升堆叠层数的前提下显著拓展了单位面积存储密度。该122TB企业级SSD在当前全球同类产品中处于领先水平，为数据中心高密度部署与云计算基础设施的能效优化提供了有力支撑。
与此同时，国际厂商也在加速推进高层数NAND技术研发：有计划于2027年实现332层BiCS10 NAND的量产；另一厂商正推进面向近线存储场景的250TB级固态硬盘开发。另据相关产业研判，内存供应紧张局面可能延续至2027年，而新产能的大规模释放预计要等到2028年。在此背景下，华为在存储核心技术上的实质性突破，进一步夯实了国产存储产业链的技术基础与发展韧性。
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