近日，NEO Semiconductor宣布推出两款全新的3D X-DRAM存储单元设计——1T1C和3T0C，这两项技术有望对现有DRAM内存架构带来深远影响。
新设计分别采用“单晶体管单电容”与“三晶体管零电容”的结构，预计在2026年将完成概念验证测试芯片的生产，并实现比当前标准DRAM模块高出10倍的存储容量。
依托3D X-DRAM技术，这些新型存储单元可在单个模块上实现512Gb（即64GB）的容量，远超目前市场主流产品。
在模拟测试中，该存储单元展现出出色的性能表现，读写延迟低至10纳秒，数据保持时间超过9分钟，达到甚至超越了当前DRAM的技术前沿水平。
新技术使用基于氧化铟镓锌（IGZO）的材料，使1T1C和3T0C单元具备类似3D NAND的堆叠式结构，能够在提升存储密度和数据吞吐量的同时，保持较低的功耗。
NEO Semiconductor首席执行官Andy Hsu表示：“随着1T1C和3T0C 3D X-DRAM技术的推出，我们正在重新定义存储器设计的边界。这项创新突破了传统DRAM在扩展性方面的瓶颈，也标志着我们在新一代存储领域迈出了关键一步。”
此外，NEO Semiconductor还计划于本月在一场国际存储技术研讨会上详细介绍1T1C和3T0C设计，以及其3D X-DRAM和3D NAND系列产品的未来发展蓝图。
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