根据最新消息，英伟达即将推出的下一代GeForce RTX 50系列显卡（代号Blackwell）将采用最新的台积电3nm工艺制造。同时，该系列显卡还将使用DisplayPort 2.1标准。据悉，Blackwell GPU将应用于RTX 50系列显卡，并且其性能方面将取得显著提升。
Kopite7kimi透露，英伟达正在准备推出Blackwell GPU，并将其应用到RTX 50系列显卡中。这些新一代显卡将建立在台积电的先进3nm工艺上。与目前使用的5nm工艺相比，3nm工艺技术提供了更大幅度的功耗降低和性能增强。每个晶体管的性能提高了约15%，功耗降低了约30%。此外，面积减少了42%，密度增加了1.7倍。这意味着即便是在现有的40系“Ada Lovelace”阵容中，“5nm”节点已经提供了惊人的每瓦性能效率，因此人们对50系显卡的提升抱有很高期望。
至于具体型号的3nm节点选择，目前还为时尚早。因为这一技术至少有两种不同的风格可供选择，包括标准的N3、更高效、更注重性能的设计的N3E、N3P和N3A。
与此同时，英伟达游戏卡也将使用GDDR7内存解决方案，这将是多年来高性能计算和游戏卡首次采用相同命名约定的架构。不过，在40系显卡上取消DP 2.1功能可能是一个遗憾，但英伟达显然将在其即将推出的图形架构中支持最新技术。
除此之外，在2024年底或2025年初时，我们有望看到GeForce RTX 50系列显卡（代号Blackwell）正式亮相。（数据来源：wccftech）
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