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    美光推出 176 层 3D NAND

      [  中关村在线 编译  ]   作者：郭云珍

    11月10日，世界顶级半导体峰会之一的闪存峰会将于2020年11月10日在美国加州圣克拉拉会议中心举行。11月9日晚，北澳宣布了最新的第五代3D NAND闪存技术，该技术拥有176层存储单元。

    美光推出 176 层 3D NAND

    新的176层闪存是美光和英特尔分拆后开发的第二代产品，而上一代3D NAND是美光的过渡节点128层设计。目前，在三星存储技术的巨大领先下，美光128层3D NAND并不特别高。此外，虽然升级到176层，但它仍然落后于三星。

    美光并没有发布太多关于这项技术的信息。

    第176层NAND支持的接口速度为1600 mT/s，高于96层和128层闪存的1200 mt/s。与96 INND相比，读(写)延迟提高了35%以上，比128 IND提高了25%以上。与使用96INand的ufs3.1模块相比，美光芯片的整体混合工作负载提高了约15%。

    据了解，美光表示其第176层3D NAND已开始大规模生产，并已在奈达的一些消费级SSD产品中发货。

    免责声明：凡标注转载/编译字样内容并非本站原创，转载目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。

    diy.zol.com.cn true //diy.zol.com.cn/756/7561731.html report 807 11月10日，世界顶级半导体峰会之一的闪存峰会将于2020年11月10日在美国加州圣克拉拉会议中心举行。11月9日晚，北澳宣布了最新的第五代3D NAND闪存技术，该技术拥有176层存储单元。新的176层闪存是美光和英特尔分拆后开发的第二代产品，而上一代3D NAND是美光的过渡节点1...
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