美光推出 176 层 3D NAND

11月10日，世界顶级半导体峰会之一的闪存峰会将于2020年11月10日在美国加州圣克拉拉会议中心举行。11月9日晚，北澳宣布了最新的第五代3D NAND闪存技术，该技术拥有176层存储单元。

新的176层闪存是美光和英特尔分拆后开发的第二代产品，而上一代3D NAND是美光的过渡节点128层设计。目前，在三星存储技术的巨大领先下，美光128层3D NAND并不特别高。此外，虽然升级到176层，但它仍然落后于三星。

美光并没有发布太多关于这项技术的信息。

第176层NAND支持的接口速度为1600 mT/s，高于96层和128层闪存的1200 mt/s。与96 INND相比，读(写)延迟提高了35%以上，比128 IND提高了25%以上。与使用96INand的ufs3.1模块相比，美光芯片的整体混合工作负载提高了约15%。

据了解，美光表示其第176层3D NAND已开始大规模生产，并已在奈达的一些消费级SSD产品中发货。

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