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    长鑫:LPDDR5内存3年内攻坚成功

      [  中关村在线 原创  ]   作者:陈浩

    近日,合肥长鑫所在地的省会——安徽发布了《重点领域补短板产品和关键技术攻关任务揭榜工作方案》文件,该方案提出,要聚焦安徽省内高科技产业和制造业, 用2-3年的时间突破一批制约产业发展的关键技术。不断提高制造业自主可控水平,促进制造业高质量发展。

    内存方面,文件要求推进低功耗高速率LPDDR5 DRAM产品开发,要面向中高端移动、平板及消费类产品DRAM存储芯片自主可控需求,研发先进低功耗高速率LPDDR5 产品并实现产业化,依托DRAM 17nm及以下工艺,攻关高速接口技术、Bank Group架构设计技术、低功耗电源(电压)技术、片内纠错编码(On-Die ECC)技术,完成低功耗高速率LPDDR5 DRAM产品开发。

    据了解,安徽合肥长鑫集成电路有限责任公司是我国目前科研实力较强的集成电路公司之一,其具备完全自主知识产权的国产 DDR4 内存颗粒目前已商用于众多国产内存中。根据长鑫此前的路线图,该公司目前已开始研发下一代 DDR4/LPDDR4/DDR5/LPDDR5 内存等工艺技术。官方给出2-3年时间比较充裕,实际完成时间应该比这个短。光威弈Pro系列内存使用的就是长鑫自主研发的国产颗粒,该系列内存运行稳定兼容性能强,且提供终身质保服务,侧面说明国产颗粒的性能与品质都不错。

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    diy.zol.com.cn true http://diy.zol.com.cn/747/7475696.html report 1066 近日,合肥长鑫所在地的省会——安徽发布了《重点领域补短板产品和关键技术攻关任务揭榜工作方案》文件,该方案提出,要聚焦安徽省内高科技产业和制造业, 用2-3年的时间突破一批制约产业发展的关键技术。不断提高制造业自主可控水平,促进制造业高质量发展。内存方面,...
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