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    STT-MRAM自旋磁阻内存升级GF 12nm工艺

      [  中关村在线 原创  ]   作者:霍杰华   |  责编:杨勇

        GlobalFoundries、Everspin联合宣布,双方已经达成新的合作,将利用GF 12LP(12nm FinFET)工艺来制造新一代STT-MRAM(自旋转移矩磁阻内存),包括独立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。

        MRAM是一种非易失性存储,其前景被广泛看好,Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行业巨头多年来一直都在研究,读写速度可以媲美SRAM、DRAM等传统内存,但同时又是非易失性的,也就是可以断电保存数据,综合了传统内存、闪存的优点。

    STT-MRAM自旋磁阻内存升级GF 12nm工艺

        STT-MRAM则进一步通过自旋电流实现数据写入,具备结构简单、成本低、损耗小、速度快等一系列优点,只是容量密度提升困难,所以想取代内存、闪存暂时不现实,但非常适合用在各种嵌入式领域。

        GF 22FDX工艺成功试产eMRAM,-40℃到125℃环境下可工作10万个周期,数据保持可长达10年。进一步升级到12nm,自然有利于进一步提升MRAM的容量密度,并继续降低成本,尤其是随着MRAM芯片容量的提高,迫切需要更先进的工艺。

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    diy.zol.com.cn true http://diy.zol.com.cn/740/7400594.html report 886     GlobalFoundries、Everspin联合宣布,双方已经达成新的合作,将利用GF 12LP(12nm FinFET)工艺来制造新一代STT-MRAM(自旋转移矩磁阻内存),包括独立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。    MRAM是一种非易失性存储,其前景被广泛看好,Intel、IBM、TDK、...
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