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    紫光DRAM基地落户重庆 2021年投产

      [  中关村在线 原创  ]   作者:霍杰华   |  责编:杨勇

        国产半导体领军企业紫光集团最近可谓是大动作频频,近日紫光集团首次公开展示了长江存储64层NAND Flash Wafer,并且预计并规划在2020年跳过96层3D NAND技术进入128层3D NAND阶段,到2020年月总产能可达30万片,2030年跃升至100万片,成世界级存储器生产基地。

    紫光DRAM基地落户重庆 2021年投产

        8月27日也就是昨天又传出巨大消息,重庆市与紫光集团签署紫光存储芯片产业基地项目合作协议。

    紫光DRAM基地落户重庆 2021年投产

        根据协议,紫光集团将在重庆两江新区发起设立紫光国芯集成电路股份有限公司和重庆紫光集成电路产业基金,建设包括DRAM总部研发中心在内的紫光DRAM事业群总部、DRAM存储芯片制造工厂、紫光科技园等。

        根据计划,紫光重庆DRAM存储芯片制造工厂计划于2019年底开工建设,预计2021年建成投产。

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