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    台积电:7nm和5nm性能增强版制程已使用

      [  中关村在线 原创  ]   作者:霍杰华   |  责编:杨勇

         台积电今年的日子可以说是结果的风生水起,近日,根据日本媒体报道,在日本举办的 2019 VLSI 研讨会上,台积电透露部分客户已可以用上 7nm 深紫外和 5nm 极紫外性能增强版本制造工艺。

    台积电:7nm和5nm性能增强版制程已使用

        据悉,N7P 采用经过验证的深紫外(DUV)光刻技术。与 N7 相比,它没有增加晶体管的密度。需要高出约 18~20% 晶体管密度的客户,预计需要使用台积电的 N7+ 和 N6 工艺 —— 后者使用极紫外(EUV)光刻技术进行多层处理。

        尽管 N7 和 N6 都是未来几年的“长”节点,但台积电会在下一个 N5 节点带来显著的密度、功耗和性能改进。

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