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    SK海力士开始大规模生产全球首款128层4D NAND

      [  中关村在线 原创  ]   作者:罗珺栩   |  责编:杨勇

    SK海力士公司今天宣布已开发并开始批量生产全球首款128层1Tb TLC(三层单元)4D NAND闪存,而这仅是在8个月之前才宣布推出96层4D NAND产品之后。

    SK海力士开始大规模生产全球首款128层4D NAND

    目前,128层1 Tb NAND芯片提供业界最高的垂直堆叠,拥有超过360亿个NAND单元,每个单元存储3个芯片。为实现这一目标,SK海力士应用创新技术,如“超均匀垂直蚀刻技术”,“高可靠性多层薄膜电池形成技术”和超快速低功耗电路设计,自行开发4D NAND技术。

    新产品为TLC NAND闪存提供业界最高的1 Tb密度。包括SK海力士在内的多家公司已经开发出1个Tb QLC(四级单元)NAND产品,但SK海力士是第一个将1 Tb TLC NAND闪存商业化的公司。TLC占NAND闪存市场的85%以上,具有出色的性能和可靠性。

    小芯片尺寸是4D NAND的最大优势,使SK海力士能够实现超高密度NAND闪存。该公司于2018年10月宣布推出创新的4D NAND,它将3D CTF(Charge Trap Flash)设计与PUC(Peri.Under Cell)技术相结合。

    凭借相同的4D平台和流程优化,SK海力士能够将现有96层NAND上多达32层的制造流程总数减少5%。因此,与之前的技术迁移相比,从96层到128层NAND的过渡投资成本降低了60%,显着提高了投资效率。

    与公司的96层4D NAND相比,128层1 Tb 4D NAND将每个晶圆的钻头生产率提高了40%。

    SK海力士将从今年下半年开始发售128层4D NAND闪存,同时继续推出各种解决方案。

    凭借其在单芯片中的四平面架构,该产品在1.2 V时实现了1,400 Mbps(兆位/秒)的数据传输速率,实现了高性能和低功耗的移动解决方案和企业级SSD

    SK海力士计划于明年上半年为主要的旗舰智能手机客户开发下一代UFS 3.1产品。使用128层1 Tb NAND闪存,1 TB(太字节)产品所需的NAND芯片数量(目前是智能手机的最大容量)将比512 Gb NAND减少一半; 它将为客户提供移动解决方案,在1毫米薄的封装中功耗降低20%。

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