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    打破垄断 国产闪存芯片之路有多远?

      [  中关村在线 原创  ]   作者:赵欢鑫   |  责编:孙玉亮

    中国疯狂建厂存在的风险

      从现在的种种迹象表明,3D NAND产能不足的问题将于2018年缓解。而长江存储近2年疯狂的半导体建设或许会引发一个新的风险,那就是产能过剩。

      去年,IC Insights的Matas写到,现在在追逐3D NAND Flash的产能的公司有三星、SK海力士、美光、英特尔、东芝/闪迪和长江存储。还有一些可能加入战局的中国制造商。

    打破垄断 国产闪存芯片之路有多远?

      虽然业界认为未来五年工业界会发生很重要的转变,并会带来很强大的存储需求,但如果中国的存储布局能够顺利进行,那么最后必将会面对产能过剩的风险。

      有人指出,对于中国的这些投资我们应该抱有一种什么样的态度,究竟是应该感谢他们致力于打破三星的垄断,给我们带来更多的选择,还是该批判他们这种行为?

      一位专家海指出,中国想通过存储切入半导体产业链,这或许是一个错误的选择。因为存储上面投资的金额实在太大了。每一代技术的投资成本都数十亿美元。这对中国来说是一个很大的冒险。

      投资无数的钱在一个未知结果的领域,面临的压力是可想而知的。

      最后回到标题,国产闪存芯片之路有多远?

      根据紫光集团布局和建厂进度,2018年我国将量产3D NAND闪存,大家请耐心等待。

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